当社アンモニア分解触媒を使用して半導体製造工程における放散塔(アンモニアストリッピング)でガス化したアンモニア処理が可能です。
半導体の製造工程では水素(H2)やアンモニア(NH3)などの様々なガスが使用されております。
排ガス中にアンモニアが含まれる場合、DFI,RTO,CCSなどの燃焼方式によりアンモニア自身は酸化燃焼で処理されますが、同時に副生成物としてNOxやN2Oが生成されるといった二次的な問題が発生します。
当社のアンモニア分解触媒(NHN触媒)はアンモニア処理時にNOxとN2Oの生成を低く抑え、還元剤を使用せずに効率的なアンモニア処理が可能です。

また、半導体洗浄工程においてはオゾンが使用されておりますが、当社のオゾン分解触媒(NHC触媒)は様々な濃度・温度のオゾンを効率的に処理することが可能です。

アンモニア(NH3)分解性能実績

 触媒上流側 触媒下流側反応率
アンモニア NH3 5,000ppm 1ppm以下 99.9%以上
NOx - 10ppm 
N2O 162ppm 

*触媒:NHN(アンモニア分解触媒)

オゾン分解性能実績

 触媒上流側触媒下流側
オゾン  112ppm 0.1ppm以下

*触媒:NHC(オゾン分解触媒)

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FAX 03-5436-8680

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